বাড়ি - জ্ঞান - বিস্তারিত

ডায়োড ব্যবহার করে শক্তি গ্রিডের শক্তি রূপান্তর দক্ষতা কীভাবে অপ্টিমাইজ করবেন?

一, প্রযুক্তি নির্বাচন: অ্যাপ্লিকেশন পরিস্থিতির সুনির্দিষ্ট মিল
1. ফটোভোলটাইক বৈদ্যুতিন সংকেতের মেরু বদল: Schottky ডায়োডের কম ক্ষতির বিপ্লব
ফটোভোলটাইক ইনভার্টারগুলিকে সরাসরি কারেন্টকে অল্টারনেটিং কারেন্টে রূপান্তর করতে হবে এবং তাদের কার্যকারিতা সরাসরি উত্পন্ন বিদ্যুতের পরিমাণকে প্রভাবিত করে। প্রথাগত সিলিকন রেকটিফায়ার ডায়োডগুলি 0.7V এর ফরোয়ার্ড ভোল্টেজ ড্রপ (VF) এবং মাইক্রোসেকেন্ড লেভেল রিভার্স রিকভারি টাইম (Trr) এর কারণে উচ্চ- ফ্রিকোয়েন্সি স্যুইচিংয়ের সময় উল্লেখযোগ্য ক্ষতির সম্মুখীন হয়। Schottky ডায়োডগুলি একটি ধাতব সেমিকন্ডাক্টর জংশন কাঠামো গ্রহণ করে, যেখানে VF 0.2-0.4V এবং Trr শূন্যের কাছাকাছি থাকে, যা ফটোভোলটাইক ইনভার্টারগুলির জন্য পছন্দের পছন্দ করে।

কেস: একটি নির্দিষ্ট ফটোভোলটাইক সিস্টেম VF=0.3V এর সাথে সিলিকন টিউবের পরিবর্তে VF=0.7V সহ স্কোটকি ডায়োড ব্যবহার করে। 20A কারেন্টে, একটি একক টিউবের পরিবাহী ক্ষতি 14W থেকে 8W-এ হ্রাস পায় এবং সিস্টেমের দক্ষতা 1.2% দ্বারা উন্নত হয়। একটি 100MW ফোটোভোলটাইক পাওয়ার স্টেশনে প্রয়োগ করা হলে, বার্ষিক বিদ্যুৎ উৎপাদন প্রায় 1.2 মিলিয়ন কিলোওয়াট ঘন্টা বৃদ্ধি পেতে পারে, যা 840 টন কার্বন নিঃসরণ কমানোর সমান।

2. বায়ু শক্তি রূপান্তরকারী: দ্রুত পুনরুদ্ধার ডায়োডের গতিশীল প্রতিক্রিয়া অপ্টিমাইজেশান
একটি উইন্ড টারবাইনের বৈদ্যুতিন সংকেতের মেরু বদলকে অত্যন্ত ওঠানামাকারী বিকল্প কারেন্ট পরিচালনা করতে হয় এবং ডায়োডগুলির বিপরীত পুনরুদ্ধারের বৈশিষ্ট্যগুলির জন্য অত্যন্ত উচ্চ প্রয়োজনীয়তা রয়েছে। দ্রুত পুনরুদ্ধার ডায়োড একটি পিন কাঠামোর মাধ্যমে Trr-কে 50-500ns এ সংক্ষিপ্ত করে, কার্যকরভাবে উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি রিংিং দমন করে এবং ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক ইন্টারফেরেন্স (EMI) হ্রাস করে।

কেস: একটি নির্দিষ্ট অফশোর উইন্ড পাওয়ার প্রজেক্ট MUR860 দ্রুত পুনরুদ্ধার ডায়োড (Trr=50ns) গ্রহণ করে, যা কনভার্টারের সেকেন্ডারি সংশোধনে PFC দক্ষতাকে 2% উন্নত করে, যখন সমান্তরাল ফ্রি-হুইলিং ক্যাপাসিটারগুলির প্রয়োজনীয়তা হ্রাস করে এবং সিস্টেমের খরচ 15% কমায়।

3. বৈদ্যুতিক গাড়ির চার্জিং: সিঙ্ক্রোনাস সংশোধন প্রযুক্তির দক্ষতা লাফ
বৈদ্যুতিক গাড়ির চার্জিং স্টেশনগুলিকে বিকল্প কারেন্টকে সরাসরি কারেন্টে রূপান্তর করতে হবে। প্রথাগত ডায়োড সংশোধনের কার্যকারিতা প্রায় 85%, যখন সিঙ্ক্রোনাস সংশোধন প্রযুক্তি MOSFET-এর সাথে ডায়োডগুলি প্রতিস্থাপন করে কার্যকারিতা 98% এ উন্নত করতে পারে। যাইহোক, উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি অ্যাপ্লিকেশানগুলিতে, স্কোটকি ডায়োডগুলি এখনও সিঙ্ক্রোনাস সংশোধনের জন্য সামনের-প্রতিরক্ষামূলক উপাদান হিসাবে কাজ করে, বিপরীত বর্তমান উত্থান প্রতিরোধ করে।

কেস: একটি নির্দিষ্ট 800V উচ্চ-ভোল্টেজ চার্জিং প্ল্যাটফর্ম HFA08TB60 Schottky ডায়োড (8A/600V, Trr=25ns) গ্রহণ করে। DC-ডিসি বক মডিউলে, সিঙ্ক্রোনাস রেকটিফিকেশন প্রযুক্তির সাথে মিলিত, চার্জিং দক্ষতা 92% থেকে 95% পর্যন্ত উন্নত হয় এবং একক চার্জিং সময় 10 মিনিট কমিয়ে দেওয়া হয়।

2, সার্কিট ডিজাইন: ক্ষতি কমাতে সিস্টেম লেভেল অপ্টিমাইজেশান
1. টপোলজি উদ্ভাবন: সেতু সংশোধন এবং নরম সুইচিং প্রযুক্তি
ঐতিহ্যগত অর্ধ তরঙ্গ সংশোধনের কার্যকারিতা মাত্র 45%, যখন সম্পূর্ণ তরঙ্গ সংশোধনের কার্যকারিতা 81% এ উন্নীত হয়। সেতু সংশোধন একটি চারটি টিউব কাঠামোর মাধ্যমে সম্পূর্ণ তরঙ্গের ব্যবহার অর্জন করে, যার দক্ষতা 90% এর বেশি। সফ্ট সুইচিং প্রযুক্তির সমন্বয় (যেমন জিরো ভোল্টেজ সুইচিং ZVS) ডায়োড রিভার্স রিকভারি লসকে আরও দূর করতে পারে।

কেস: একটি নির্দিষ্ট এনার্জি স্টোরেজ সিস্টেম SiC Schottky ডায়োডের সাথে মিলিত একটি নরম সুইচিং ব্রিজ রেকটিফায়ার সার্কিট গ্রহণ করে। 100kHz এর ফ্রিকোয়েন্সিতে, সংশোধনের দক্ষতা 92% থেকে 96% পর্যন্ত বৃদ্ধি করা হয় এবং সিস্টেমের ভলিউম 30% কমে যায়।

2. তাপ অপচয় নকশা: তাপ প্রতিরোধের নিয়ন্ত্রণ এবং প্যাকেজিং অপ্টিমাইজেশান
উচ্চ কারেন্ট অপারেশনের সময়, ডায়োডের উত্তাপ কার্যক্ষমতা হ্রাসের প্রধান কারণ। নিম্ন তাপ প্রতিরোধের প্যাকেজিং (যেমন TO-247, DPAK) তরল শীতল তাপ অপচয়ের সাথে মিলিত 150 ডিগ্রির নিচে জংশন তাপমাত্রা নিয়ন্ত্রণ করতে পারে এবং ডিভাইসের আয়ু বাড়াতে পারে।

কেস: একটি নির্দিষ্ট ফোটোভোলটাইক বৈদ্যুতিন সংকেতের মেরু বদল DPAK প্যাকেজযুক্ত Schottky ডায়োড ব্যবহার করে, যা তরল শীতল প্লেটের সাথে যুক্ত, এবং 40 ডিগ্রী পরিবেষ্টিত তাপমাত্রায় ব্যর্থতা ছাড়াই 100000 ঘন্টা একটানা কাজ করতে পারে, যার জীবনকাল ঐতিহ্যগত বায়ু শীতল সমাধানের চেয়ে তিনগুণ বেশি।

3. ইএমআই দমন: কম ক্যাপাসিট্যান্স প্যাকেজিং এবং ফিল্টারিং প্রযুক্তি
Schottky ডায়োডের দ্রুত স্যুইচিং উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি নয়েজ প্রবর্তন করতে পারে এবং কম Qrr (রিভার্স চার্জ পুনরুদ্ধার) প্যাকেজিং এবং LC ফিল্টারিং সার্কিটের মাধ্যমে EMI দমন প্রয়োজন।

কেস: একটি নির্দিষ্ট বৈদ্যুতিক গাড়ির চার্জিং মডিউল কম ক্যাপাসিটেন্স স্কোটকি ডায়োড গ্রহণ করে (Cj<50pF), combined with common mode inductors, to reduce conducted interference to below CISPR 25 standard, and has passed the vehicle regulatory level certification.

3, উপাদান উদ্ভাবন: তৃতীয় প্রজন্মের সেমিকন্ডাক্টরগুলির অগ্রগতি
1. সিলিকন কার্বাইড (SiC) ডায়োড: উচ্চ তাপমাত্রা এবং উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সির দ্বৈত সুবিধা
SiC ডায়োডগুলি 200 ডিগ্রী পর্যন্ত তাপমাত্রা সহ্য করতে পারে এবং সিলিকন ডিভাইসের মাত্র 1/10 এর বিপরীত পুনরুদ্ধারের সময় থাকতে পারে, যা তাদের উচ্চ-তাপমাত্রা এবং উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি পরিস্থিতির জন্য উপযুক্ত করে তোলে।

কেস: একটি বায়ু শক্তি বৈদ্যুতিন সংকেতের মেরু বদল SiC Schottky ডায়োড ব্যবহার করে, যার কার্যক্ষমতা 150 ডিগ্রি জংশন তাপমাত্রায় সিলিকন ডিভাইসের তুলনায় 2% বেশি, সিস্টেমের ওজন 40% কমিয়ে দেয়। এটি অফশোর ভাসমান বায়ু শক্তি প্ল্যাটফর্মের জন্য উপযুক্ত।

2. গ্যালিয়াম নাইট্রাইড (GaN) ডায়োড: অতি উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি অ্যাপ্লিকেশনের জন্য সম্ভাব্য
GaN ডায়োডগুলির উচ্চতর ইলেকট্রন গতিশীলতা রয়েছে এবং মেগাহার্টজ স্তরের সুইচিং ফ্রিকোয়েন্সি অর্জন করতে পারে, তবে বর্তমানে উচ্চ খরচ রয়েছে এবং এটি প্রধানত পরীক্ষাগার স্তরের প্রদর্শনী প্রকল্পগুলিতে ব্যবহৃত হয়।

কেস: একটি গবেষণা প্রতিষ্ঠান দ্বারা তৈরি একটি GaN ভিত্তিক সংশোধনকারীর 1MHz ফ্রিকোয়েন্সিতে 97% দক্ষতা রয়েছে, যা ভবিষ্যতের অতি উচ্চ গতির চার্জিং প্রযুক্তির সম্ভাবনা প্রদান করে।

4, শিল্প প্রবণতা এবং চ্যালেঞ্জ
প্রযুক্তি ইন্টিগ্রেশন: ডায়োড এবং এআই অ্যালগরিদমের সংমিশ্রণ, জংশন তাপমাত্রা এবং বর্তমান ওঠানামার বাস্তব-সময় পর্যবেক্ষণের মাধ্যমে, সর্বাধিক দক্ষতা অর্জনের জন্য গতিশীলভাবে কাজের পরামিতিগুলিকে সামঞ্জস্য করে৷
স্ট্যান্ডার্ডাইজেশন প্রচার: IEC 62933 এবং অন্যান্য স্ট্যান্ডার্ডগুলি উচ্চ নির্ভরযোগ্যতার দিকে শিল্পের বিকাশকে উন্নীত করে, ভোল্টেজ এবং রিভার্স লিকেজ কারেন্ট প্রতিরোধের জন্য ডায়োডের জন্য কঠোর প্রয়োজনীয়তাগুলিকে এগিয়ে দিয়েছে।
খরচের খেলা: SiC/GaN ডিভাইসের দাম সিলিকন ডিভাইসের 3-5 গুণ, এবং বড় আকারের উৎপাদনের মাধ্যমে দাম কমানো প্রয়োজন। আশা করা হচ্ছে যে 2030 সালের মধ্যে বাজারের শেয়ার 30% বৃদ্ধি পাবে।
 

অনুসন্ধান পাঠান

তুমি এটাও পছন্দ করতে পারো