যোগাযোগ শক্তি পরিবর্ধকগুলির পক্ষপাত নিয়ন্ত্রণের জন্য ডায়োডগুলি কীভাবে ব্যবহার করবেন?

一, ডায়োড পক্ষপাত নিয়ন্ত্রণের প্রযুক্তিগত নীতি এবং মূল মান
1। তাপমাত্রা ক্ষতিপূরণ প্রক্রিয়া: তাপ বিকৃতি সমস্যা সমাধান করা
যখন কোনও পাওয়ার এম্প্লিফায়ার চালু থাকে, তখন ট্রানজিস্টরের জংশন তাপমাত্রার বৃদ্ধি ওএন ভোল্টেজ (ভিবিই) হ্রাস পেতে পারে, যার ফলে একটি স্ট্যাটিক অপারেটিং পয়েন্ট শিফট তৈরি হয়, ফলে ক্রসওভার বিকৃতি ঘটে এবং সংকোচনের ফলে। নেতিবাচক প্রতিক্রিয়া লুপটি তৈরি করে, ডায়োডগুলি গতিশীল পক্ষপাত ক্ষতিপূরণ অর্জন করতে পারে। উদাহরণস্বরূপ, ক্লাস এ এবং বি পরিপূরক প্রতিসম শক্তি পরিবর্ধকগুলিতে, দুটি ডায়োডগুলি পক্ষপাত সার্কিট হিসাবে সিরিজে সংযুক্ত থাকে এবং তাদের ফরোয়ার্ড ভোল্টেজ ড্রপ ক্রমবর্ধমান তাপমাত্রার সাথে হ্রাস পায়, যা ট্রানজিস্টর ভিবিইর তাপমাত্রা প্রবাহকে ঠিক অফসেট করে। পরীক্ষামূলক তথ্য দেখায় যে ডায়োড ক্ষতিপূরণ ব্যবহার করে এম্প্লিফায়ার ক্রসওভার বিকৃতি -40 ডিগ্রি থেকে 125 ডিগ্রি পর্যন্ত বিস্তৃত তাপমাত্রার পরিসীমাতে 0.1% এরও কম হ্রাস করে, যা অনিয়ন্ত্রিত সার্কিটের চেয়ে 10 গুণ বেশি।
2। গতিশীল পক্ষপাত সামঞ্জস্য: ভারসাম্য দক্ষতা এবং লিনিয়ারিটি
ক্লাস সি পাওয়ার এম্প্লিফায়ারগুলিতে, ডায়োডগুলি বাহন কোণের সুনির্দিষ্ট নিয়ন্ত্রণ অর্জনের জন্য পেন্টিওমিটার এবং প্রতিরোধক নেটওয়ার্কগুলির সাথে একত্রে কাজ করে। যখন ইনপুট সিগন্যাল শক্তি বৃদ্ধি পায়, ডায়োডের ফরোয়ার্ড ভোল্টেজ ড্রপ বৃদ্ধি পায়, যার ফলে বেস পক্ষপাত ভোল্টেজ হ্রাস পায়, যার ফলে বর্তমান প্রবাহ কোণ হ্রাস করে এবং ননলাইনার বিকৃতি দমন করে। এই স্কিমটি গ্রহণ করার পরে, ২.৪ গিগাহার্টজ ফ্রিকোয়েন্সি ব্যান্ডের একটি ক্লাস সি এম্প্লিফায়ার তৃতীয় - অর্ডার ইন্টারমোডুলেশন বিকৃতি (আইএমডি 3) থেকে -25 ডিবিসি থেকে -38 ডিবিসি থেকে 20W এর আউটপুট পাওয়ারে 65%এর বেশি দক্ষতা বজায় রেখে অনুকূলিত করেছে।
3। বুদ্ধিমান সুরক্ষা ব্যবস্থা: ডিভাইস ওভারলোড প্রতিরোধ করুন
মিলিমিটার তরঙ্গ যোগাযোগের মডিউলগুলিতে, স্কটকি ডায়োডগুলি তাদের ন্যানোসেকেন্ড প্রতিক্রিয়া গতির কারণে ওভারভোল্টেজ সুরক্ষা সার্কিটগুলিতে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়। যখন ইনপুট সিগন্যালের প্রশস্ততা প্রান্তিকের চেয়ে বেশি হয়ে যায়, ডায়োড দ্রুত শান্ট পরিচালনা করে, একটি নিরাপদ পরিসরের মধ্যে ট্রানজিস্টরের কালেক্টর ভোল্টেজকে ক্ল্যাম্প করে। একটি নির্দিষ্ট 28GHz ফ্রিকোয়েন্সি ব্যান্ড পাওয়ার এম্প্লিফায়ারে এই স্কিমটি গ্রহণ করার পরে, ডিভাইসের তাপমাত্রা বৃদ্ধি 120 ডিগ্রি থেকে 45 ডিগ্রিতে হ্রাস পেয়েছে যখন ইনপুট শক্তি হঠাৎ করে 35 ডিবিএম -এ উন্নীত হয়েছে, ডিভাইস জীবনকে উল্লেখযোগ্যভাবে প্রসারিত করে।
2, ডায়োড পক্ষপাত নিয়ন্ত্রণের সাধারণ অ্যাপ্লিকেশন পরিস্থিতি
1. 5 জি বেস স্টেশন আরএফ ফ্রন্ট - শেষ: উচ্চ - ঘনত্ব সংহতকরণ এবং কম - পাওয়ার ডিজাইন
বিশাল এমআইএমও বেস স্টেশনগুলিতে, গাএন পাওয়ার এমপ্লিফায়ারগুলি বর্তমান পুনঃব্যবহার প্রযুক্তির মাধ্যমে বিদ্যুতের খরচ হ্রাস করতে ডায়োড সংযুক্ত এনএমওএস ট্রানজিস্টরগুলিকে পক্ষপাত সার্কিট হিসাবে ব্যবহার করে। উদাহরণস্বরূপ, একটি নির্দিষ্ট মডেল 64T64R অ্যান্টেনা অ্যারের পাওয়ার এমপ্লিফায়ার মডিউলটি ডায়োড সংযোগ পক্ষপাতের ব্যবহার করার পরে, স্থির কারেন্টটি 1.2a থেকে 0.4A এ হ্রাস করে এবং 256 ক্যাম মড্যুলেশনের অধীনে 1.5% এর চেয়ে ইভিএম (ত্রুটি ভেক্টর প্রশস্ততা) সূচককে সমর্থন করে, 3 জিপিপি স্ট্যান্ডার্ডগুলির প্রয়োজনীয়তা পূরণ করে।
2। স্যাটেলাইট যোগাযোগ পর্যায়ক্রমে অ্যারে: প্রশস্ত তাপমাত্রা এবং উচ্চ নির্ভরযোগ্যতা নকশা
লো কক্ষপথ স্যাটেলাইট পে -লোডে টি/আর মডিউলটি -55 ডিগ্রি থেকে 125 ডিগ্রি পর্যন্ত পরিবেশে স্থিরভাবে পরিচালনা করতে হবে। একটি কা ব্যান্ড (26.5-40GHz) পাওয়ার এমপ্লিফায়ার একটি জেনার ডায়োড এবং একটি থার্মিস্টর সমন্বিত একটি যৌগিক বায়াস সার্কিট ব্যবহার করে। রিয়েল টাইমে জংশন তাপমাত্রা পর্যবেক্ষণ করে এবং পক্ষপাত ভোল্টেজ সামঞ্জস্য করে, লাভের ওঠানামা ± 0.2db এর মধ্যে নিয়ন্ত্রণ করা হয়। কক্ষপথ পরীক্ষার ডেটা দেখায় যে এই সমাধানটি ডিভাইসের এমটিবিএফ (ব্যর্থতার মধ্যে গড় সময়) 15 বছরেরও বেশি সময় বাড়িয়েছে।
3। যানবাহন ভি 2 এক্স যোগাযোগ: ভারসাম্য বিরোধী - হস্তক্ষেপ এবং উচ্চ দক্ষতা
সি - ভি 2 এক্স যোগাযোগ মডিউলটিতে, পিন ডায়োডগুলি স্বয়ংক্রিয় লাভ নিয়ন্ত্রণ (এজিসি) সার্কিটে ব্যবহৃত হয়। যখন প্রাপ্ত সংকেত শক্তি -110 ডিবিএম থেকে -20 ডিবিএম পর্যন্ত পরিবর্তিত হয়, পিন ডায়োড গতিশীলভাবে সমতুল্য প্রতিরোধের পরিবর্তন করে 40 ডিবি রেঞ্জের মধ্যে পরিবর্ধক লাভকে সামঞ্জস্য করে। এই স্কিমটি গ্রহণ করার পরে, একটি নির্দিষ্ট নতুন শক্তি বাহন যোগাযোগের ত্রুটির হারকে 10 ⁻ ³ থেকে 10 ⁻ এ কমপ্লেক্স ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক পরিবেশে যেমন টানেল এবং ওভারপাসেসে হ্রাস করে, যখন বিদ্যুতের খরচ 30%হ্রাস করে।
3, প্রযুক্তিগত বিবর্তন প্রবণতা এবং সীমান্ত অনুসন্ধান
1। ভিন্নধর্মী সংহতকরণ প্রযুক্তি: প্রক্রিয়া সামঞ্জস্যের বাধা দিয়ে বিরতি
গাএন এবং সিএমওএস প্রক্রিয়াগুলির মধ্যে অসঙ্গতিটির প্রতিক্রিয়া হিসাবে, একটি নির্দিষ্ট উদ্যোগটি একটি তিন - মাত্রিক ভিন্ন ভিন্ন ইন্টিগ্রেশন সলিউশন তৈরি করেছে: মাইক্রো বাম্প সোল্ডারিং প্রযুক্তির মাধ্যমে একটি 45nm সিএমওএস সাবস্ট্রেটে 0.15 μ এম গ্যান ডায়োড অ্যারে সংহত করা। এই স্কিমটি এক্স - ব্যান্ড (8 - 12 গিগাহার্টজ) এর 58% এর একটি পাওয়ার যুক্ত দক্ষতা (পিএই) অর্জন করে, যা একক-চিপ ইন্টিগ্রেটেড স্কিমের চেয়ে 18 শতাংশ পয়েন্ট বেশি। এটি বায়ুবাহিত রাডার পে -লোডগুলির নকশায় প্রয়োগ করা হয়েছে।
2। বুদ্ধিমান পক্ষপাত নিয়ন্ত্রণ: এআই অ্যালগরিদম গতিশীল অপ্টিমাইজেশনের ক্ষমতা দেয়
একটি গবেষণা দল পাওয়ার এমপ্লিফায়ার পক্ষপাত নিয়ন্ত্রণে গভীর শক্তিবৃদ্ধি শেখার অ্যালগরিদম প্রয়োগ করে, প্রকৃত - সময় (যেমন গড় অনুপাত, বর্ণালী বিতরণ) ইনপুট সিগন্যাল বৈশিষ্ট্যগুলি পর্যবেক্ষণ করে ডায়োড বায়াস ভোল্টেজকে গতিশীলভাবে সামঞ্জস্য করে। পরীক্ষামূলক তথ্য দেখায় যে 64 কিউএম মড্যুলেশনের অধীনে, এই স্কিমটি এসিপিআর (সংলগ্ন চ্যানেল পাওয়ার অনুপাত) 3 ডিবি দ্বারা অনুকূল করে এবং 5 শতাংশ পয়েন্ট দ্বারা দক্ষতা উন্নত করে।
3। নতুন উপাদান ডায়োডস: উচ্চ - ফ্রিকোয়েন্সি অ্যাপ্লিকেশনগুলির সীমানা প্রসারিত করা
গ্রাফিন হিটারোজানশন ডায়োডগুলি তাদের শূন্য ব্যান্ডগ্যাপ বৈশিষ্ট্যের কারণে টেরাহার্টজ যোগাযোগ গবেষণায় ব্রেকথ্রু তৈরি করেছে। একটি নির্দিষ্ট পরীক্ষাগার দ্বারা বিকাশিত ডিভাইসটি 0.3thz ফ্রিকোয়েন্সি ব্যান্ডে 1000 এরও বেশি স্যুইচিং অনুপাত অর্জন করে এবং একটি প্রতিক্রিয়া সময় ফেমটোসেকেন্ড স্তরে সংক্ষিপ্ত করে তোলে। এই ডিভাইসটি 0.05 মিমি রেজোলিউশন সহ 6 জি বেস স্টেশন সুরক্ষা পরিদর্শন সিস্টেমে ব্যবহারের জন্য টেরহার্টজ ইমেজিং চিপগুলিতে সংহত করা যেতে পারে, যা traditional তিহ্যবাহী মিলিমিটার ওয়েভ সিস্টেমের চেয়ে 20 গুণ বেশি।
4, ডিজাইন পদ্ধতিতে দৃষ্টান্তের শিফট
1। মাল্টি ফিজিক্স ফিল্ড সহযোগী সিমুলেশন
মিলিমিটার ওয়েভ যোগাযোগ মডিউলটির নকশায়, এএনএসওয়াইএস এইচএফএসএস এবং আইসপাক জয়েন্ট সিমুলেশন প্ল্যাটফর্মটি এসআইসি ডায়োডগুলির 3 ডি মডেলিং সম্পাদনের জন্য ব্যবহৃত হয়েছিল। তাপ অপচয় হ্রাস চ্যানেলগুলির বিন্যাসটি অনুকূল করে, জংশন তাপমাত্রা 150 ডিগ্রি থেকে 120 ডিগ্রিতে হ্রাস করা হয়েছিল, যখন 0.3 μ মিটারের মধ্যে তাপীয় চাপের কারণে সঞ্চিত সোল্ডার জয়েন্টগুলির বিকৃতি নিয়ন্ত্রণ করে, -55 ডিগ্রি থেকে 125 ডিগ্রি পর্যন্ত বিস্তৃত তাপমাত্রার পরিসরের মধ্যে ডিভাইসের নির্ভরযোগ্য অপারেশন নিশ্চিত করে।
2। প্যারামিটারাইজড মডেল লাইব্রেরি নির্মাণ
একটি নির্দিষ্ট ইডিএ প্রস্তুতকারক একটি নতুন ধরণের ডায়োডের জন্য 500 টিরও বেশি পরামিতিযুক্ত একটি স্পাইস মডেল লাইব্রেরি তৈরি করেছেন। এই লাইব্রেরিটি বিভিন্ন তাপমাত্রার অধীনে (-40 ডিগ্রি থেকে 175 ডিগ্রি) এবং পক্ষপাত শর্তের অধীনে এস - প্যারামিটার এবং শব্দের পরিসংখ্যানগুলির মতো ডেটা কভার করে এবং বিজ্ঞাপন এবং ক্যাডেন্সের মতো মূলধারার সরঞ্জামগুলিতে সরাসরি অ্যাক্সেসকে সমর্থন করে। 5 জি ছোট বেস স্টেশনটির নকশায়, এই মডেল লাইব্রেরির প্রয়োগটি 10 ​​সপ্তাহ থেকে 4 সপ্তাহের মধ্যে ডিজাইন পুনরাবৃত্তি চক্রটি সংক্ষিপ্ত করে এবং একটি চিপ উত্পাদনের সাফল্যের হারকে 95%করে বাড়িয়েছে।
3। উত্পাদনযোগ্যতার জন্য ডিজাইন (ডিএফএম) অপ্টিমাইজেশন
একটি নির্দিষ্ট এন্টারপ্রাইজ 008004 (0.3 মিমি × 0.15 মিমি) এ প্যাকেজযুক্ত মাইক্রো ডায়োডগুলির জন্য একটি ডিএফএম নিয়ম গ্রন্থাগার স্থাপন করেছে:
প্যাড স্পেসিং: 30 μ মিটার চেয়ে বেশি বা সমান
ইস্পাত জাল বেধ: 0.06 মিমি ± 0.005 মিমি
রিফ্লো সোল্ডারিংয়ের শীর্ষ তাপমাত্রা: 240 ডিগ্রি ± 3 ডিগ্রি
সোল্ডার পেস্ট প্রিন্টিং প্যারামিটারগুলি অনুকূলকরণের মাধ্যমে, ওয়েল্ডিং অকার্যকর হারটি 12% থেকে 2% এর নিচে নেমে গেছে, স্বয়ংচালিত ইলেকট্রনিক্সের জন্য AEC - Q101 স্ট্যান্ডার্ডের প্রয়োজনীয়তা পূরণ করে।
https://www.trrsememon.com/transistor/npn{2}}}}}}}}}}}}} Bcv47.html