2N5551 এর প্রধান পরামিতি

2N5551 এর প্রধান পরামিতি:

সংগ্রাহক নির্গমনকারী সর্বাধিক ভোল্টেজ প্রতিরোধ করে VCEO=160V

কালেক্টর বেস সর্বোচ্চ ভোল্টেজ সহ্য করে VCBO=180V

ইমিটার বেস সর্বোচ্চ ভোল্টেজ সহ্য করে VEBO=6V

সর্বাধিক সংগ্রাহক বর্তমান ICM=600mA

সর্বাধিক সংগ্রাহক শক্তি খরচ PCM=600mW

সর্বোচ্চ জংশন তাপমাত্রা Tj=150 ডিগ্রি

স্টোরেজ তাপমাত্রা পরিসীমা Tstg=-55 ডিগ্রী ~150 ডিগ্রী

DC পরিবর্ধন ফ্যাক্টর HFE=50-200

বৈশিষ্ট্যগত ফ্রিকোয়েন্সি fT=100~300MHz