PMOS উন্নত ট্রানজিস্টর

সাম্প্রতিক বছরগুলিতে, PMOS (আনুষ্ঠানিকভাবে পি-চ্যানেল মেটাল অক্সাইড সেমিকন্ডাক্টর ট্রানজিস্টর নামে পরিচিত) উন্নত ট্রানজিস্টরগুলি সেমিকন্ডাক্টর শিল্পে অনেক মনোযোগ আকর্ষণ করেছে। এর চমৎকার শক্তি খরচ এবং কর্মক্ষমতার কারণে, PMOS বর্ধিত ট্রানজিস্টর ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়েছে এবং উচ্চ-প্রভাবিত শিল্পগুলিতে একটি গুরুত্বপূর্ণ গবেষণা পয়েন্ট হয়ে উঠেছে।

PMOS বর্ধিত ট্রানজিস্টর PMOS পরিকাঠামো থেকে বিকশিত হয়েছে। পিএমওএস ট্রানজিস্টরে, পি-টাইপ সাবস্ট্রেটে এন-টাইপ চ্যানেল তৈরি করে ইলেকট্রনগুলিকে উল্টাতে বাধ্য করে পরিবাহিতা অর্জন করা হয়। কিন্তু এই লিকেজের কারণে পিএমওএস ট্রানজিস্টর কম-পাওয়ার অপারেটিং পরিস্থিতিতে দক্ষতার অভাব ঘটায়। অতএব, PMOS উন্নত ট্রানজিস্টরগুলি PMOS ট্রানজিস্টর কাঠামোর ভিত্তিতে উন্নত করা হয়, PMOS ট্রানজিস্টরগুলিতে n-টাইপ চ্যানেলগুলির উচ্চ প্রতিবন্ধকতাকে n-টাইপ উত্স/ড্রেন সক্রিয় অঞ্চলগুলির সাথে প্রতিস্থাপন করে। এই উন্নতি কার্যকরভাবে ফুটো দ্বারা সৃষ্ট বিদ্যুত খরচ কমাতে পারে এবং ট্রানজিস্টরের দক্ষতা উন্নত করতে পারে।

PMOS বর্ধিত ট্রানজিস্টরের উত্থান মূলত নিম্ন-শক্তি প্রয়োগের পরিস্থিতিতে PMOS-এর ত্রুটিগুলি পূরণ করার জন্য। কম-পাওয়ার ওয়ার্কিং পরিস্থিতিতে, PMOS ট্রানজিস্টরগুলি যেগুলি ফুটো হওয়ার কারণে অদক্ষ তারা NMOS ট্রানজিস্টরগুলির তুলনায় সর্বদা একটি সমস্যা হয়েছে। অতএব, PMOS বর্ধিত ট্রানজিস্টরের উত্থান এই সমস্যা সমাধানের জন্য একটি নতুন পথ প্রদান করে। এছাড়াও, PMOS উন্নত ট্রানজিস্টরের অন্যান্য অনন্য সুবিধা রয়েছে।

প্রথমত, PMOS বর্ধিত ট্রানজিস্টরগুলির ব্যান্ডউইথ এবং গতি ভাল। এটি প্রধানত কারণ PMOS বর্ধিত ট্রানজিস্টরের নকশা কাঠামোতে সক্রিয় অঞ্চল সংযোগ এবং সাবস্ট্রেটের মধ্যে PN সংযোগ ট্রানজিস্টরের গতি উন্নত করতে সাহায্য করে, এটির ডেটা ট্রান্সমিশন গতিকে ব্যাপকভাবে উন্নত করে।

দ্বিতীয়ত, PMOS বর্ধিত ট্রানজিস্টরের লিকেজ কারেন্ট কম থাকে। যখন ট্রানজিস্টর টিউব কাজ করছে না, তখন ট্রানজিস্টরের লিকেজ কারেন্ট সর্বদা বিদ্যমান থাকে, যার ফলে অতিরিক্ত বিদ্যুৎ খরচ হতে পারে। PMOS বর্ধিত ট্রানজিস্টরের বর্ধিত কাঠামো কার্যকরভাবে লিকেজ কারেন্ট কমাতে পারে, যার ফলে বিদ্যুতের ব্যবহার হ্রাস পায়।

এছাড়াও, PMOS উন্নত ট্রানজিস্টরগুলি CMOS-এ NMOS নির্মাণকে অন্য ধরনের ট্রানজিস্টরের তুলনায় প্রতিস্থাপন করে - CMOS ট্রানজিস্টর। 1T-DRAM ইউনিটের উপর ভিত্তি করে উচ্চ-ঘনত্বের DRAM ডিজাইনে, PMOS বর্ধিত ট্রানজিস্টরের কর্মক্ষমতা একই এলাকার অবস্থার অধীনে 0.8V পাওয়ার সাপ্লাইয়ের দ্বিগুণে পৌঁছাতে পারে। অতএব, PMOS বর্ধিত ট্রানজিস্টরগুলির উচ্চ-ঘনত্বের DRAM ডিজাইনে আরও বেশি বিকাশের সম্ভাবনা রয়েছে।

ইতিমধ্যে, পিএমওএস উন্নত ট্রানজিস্টরগুলি মাইক্রোস্ট্রাকচার এবং এপিটাক্সির মতো প্রক্রিয়াকরণ কৌশলগুলি প্রবর্তন করে, তাদের প্রয়োগের পরিসর প্রসারিত করে তাদের কর্মক্ষমতা এবং স্থিতিশীলতা বাড়াতে পারে। উদাহরণস্বরূপ, লো বিম কারেন্ট ইনজেকশনের অধীনে, PMOS বর্ধিত ট্রানজিস্টরের কর্মক্ষমতা প্রায় 30% দ্বারা উন্নত করা যেতে পারে। উপরন্তু, অক্সাইড এপিটাক্সিয়াল স্ফটিকগুলির পরিশোধন কার্যকরভাবে PMOS উন্নত ট্রানজিস্টরগুলিতে অক্সিজেন অমেধ্যের প্রভাব কমাতে পারে, তাদের নির্ভরযোগ্যতা এবং স্থিতিশীলতা উন্নত করতে পারে।

https://www.trrsemicon.com/transistor/p-channel-enhancement-mode-field-effect.html