ছোট যোগাযোগ বেস স্টেশনগুলিতে ডায়োডের বিদ্যুৎ খরচ পারফরম্যান্স কী?

ডায়োড শক্তি ব্যবহারের সংমিশ্রণ এবং প্রভাবিতকারী কারণগুলি
1। পরিবাহের সময় বিদ্যুৎ খরচ
ডায়োড যখন সামনের দিকে পরিচালিত হয়, তখন পিএন জংশন ভোল্টেজ ড্রপ (ভি_এফ) এর পণ্য এবং বর্তমান (আই_এফ) মূল বিদ্যুৎ খরচ গঠন করে। উদাহরণ হিসাবে 1N4007 রেকটিফায়ার ডায়োড গ্রহণ করে, 1 এ কারেন্টে সাধারণ ভোল্টেজ ড্রপ 0.7V হয় এবং বিদ্যুতের খরচ 0.7W এ পৌঁছায়। যোগাযোগ বেস স্টেশনগুলিতে, উচ্চ - ফ্রিকোয়েন্সি স্যুইচিং পাওয়ার সাপ্লাইয়ের ডায়োডের শত শত অ্যাম্পিয়ারকে বর্তমানের সাথে প্রতিরোধ করতে হবে এবং পরিবাহিতা বিদ্যুতের খরচ শত শত ওয়াটের চেয়ে বেশি হতে পারে।
2। বিপরীত ফুটো বর্তমান বিদ্যুৎ খরচ
বিপরীত পক্ষপাতদুষ্ট হলে, ছোট ফুটো কারেন্ট (আই_আর) এর পণ্য এবং বিপরীত ভোল্টেজ (ভি_আর) ফুটো শক্তি খরচ গঠন করে। 5 জি মাইক্রো বেস স্টেশনগুলির বিদ্যুৎ সরবরাহে, সিলিকন কার্বাইড ডায়োডস (এসআইসি জেবিএস) এর সাধারণ ফুটো কারেন্ট 1NA এর চেয়ে কম হতে পারে, যা traditional তিহ্যবাহী সিলিকন - ভিত্তিক ডায়োডের চেয়ে কম মাত্রার তিনটি অর্ডার। তবে বিপরীত ফুটো স্রোত তাপমাত্রার সাথে তাত্পর্যপূর্ণভাবে বৃদ্ধি পায় এবং উচ্চ তাপমাত্রার পরিবেশে বিদ্যুৎ ব্যবহারের প্রভাবশালী কারণ হয়ে উঠতে পারে।
3। ক্ষতিগুলি স্যুইচ করুন
উচ্চ - ফ্রিকোয়েন্সি অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে, ডায়োড স্টেট স্যুইচিংয়ের সময় বিপরীত পুনরুদ্ধারের সময় (টি_আর) অতিরিক্ত বিদ্যুৎ খরচ হয়। সাধারণ ডায়োডগুলির বিপরীত পুনরুদ্ধারের সময়টি 4-5 মিমি পৌঁছতে পারে, যখন দ্রুত পুনরুদ্ধারের ডায়োডগুলির 10ns এ ছোট করা যায়। 300kHz এর একটি স্যুইচিং ফ্রিকোয়েন্সিতে, সাধারণ ডায়োডগুলির একক স্যুইচিং ক্ষতি 0.1MJ এ পৌঁছতে পারে, যখন দ্রুত ডায়োডগুলির এটি কেবল 0.01mj।
ছোট বেস স্টেশনগুলিতে সাধারণ প্রয়োগের পরিস্থিতি
1। পাওয়ার ম্যানেজমেন্ট মডিউল
সংশোধন সার্কিট: স্কটকি ডায়োডগুলি ব্যবহার করে উচ্চ দক্ষতা সংশোধন অর্জন করা হয়। 10 এমএর একটি বর্তমান সময়ে, আনসন মেই এর লো ফরোয়ার্ড ভোল্টেজ স্কটকি ডায়োডের ফরোয়ার্ড ভোল্টেজ ড্রপটি কেবল 200mv, যা traditional তিহ্যবাহী ডিভাইসের চেয়ে 40% কম।
পিএফসি সার্কিট: গ্যালিয়াম নাইট্রাইড এমওএস ট্রানজিস্টরগুলির সাথে সিলিকন কার্বাইড ডায়োডকে একত্রিত করে, পিএফসি স্যুইচিং ফ্রিকোয়েন্সি 100kHz থেকে 300kHz এ উন্নীত করা হয়, ইন্ডাক্ট্যান্সের পরিমাণ 60%হ্রাস করা হয়, এবং দক্ষতা 98%এ উন্নত হয়।
2। আরএফ সিগন্যাল প্রসেসিং
মিক্সার: রিং মিক্সার উপাদানটির কার্যকরী ফ্রিকোয়েন্সি পরিসীমা কয়েক হাজার কেএইচজেডকে কয়েক হাজার মেগাহার্টজ জুড়ে দেয় এবং ডায়োডের অরৈখিক বৈশিষ্ট্যগুলি বর্ণালী শিফট অর্জন করে। ভারসাম্যপূর্ণ মড্যুলেশন সার্কিট সার্কিট প্রতিসাম্যের মাধ্যমে 40 ডিবি দ্বারা ক্যারিয়ার ফুটোকে দমন করে।
ডিটেক্টর: স্কটকি ডায়োডগুলি তাদের কম বাধা ভোল্টেজ (0.15-0.3V) এর কারণে উচ্চ - ফ্রিকোয়েন্সি সনাক্তকরণের জন্য পছন্দ করা হয়, 1ns এরও কম প্রতিক্রিয়া সময় সহ।
3। সার্কিট রক্ষা করুন
দমন দমন: সেনগুক কেএস 06065 সিলিকন কার্বাইড ডায়োডে 65a সার্জ বর্তমান সহ্য করার ক্ষমতা রয়েছে এবং বেস স্টেশন পাওয়ার সার্জ সুরক্ষায় দুর্দান্তভাবে সম্পাদন করে।
পোলারিটি সুরক্ষা: ডিসি - ডিসি রূপান্তরকারীদের জন্য ইনপুট পোলারিটি সুরক্ষা অর্জনের জন্য একটি দ্রুত পুনরুদ্ধার ডায়োড অ্যারে ব্যবহার করা হয়, 50ns এরও কমের বিপরীত পুনরুদ্ধারের সময় সহ।
শিল্প প্রযুক্তিগত অগ্রগতি এবং অপ্টিমাইজেশন কৌশল
1। উপাদান উদ্ভাবন
সিলিকন কার্বাইড (এসআইসি) ডিভাইস: 650V/6A KS06065 ডায়োডের সাধারণ ভোল্টেজ ড্রপ 1.38V, যা সিলিকন - ভিত্তিক ডিভাইসগুলির চেয়ে 30% কম, এবং উচ্চ - তাপমাত্রার স্থায়িত্ব 200 ডিগ্রি দ্বারা উন্নত করা হয়।
গ্যালিয়াম নাইট্রাইড (জিএএন) ইন্টিগ্রেশন: গাএন হেম্টস একটি একক চিপে স্কটকি ডায়োডের সাথে সংহত হয়, উচ্চ - ফ্রিকোয়েন্সি স্যুইচিং পাওয়ার সাপ্লাইয়ের জন্য 100W/ইন -এর বেশি পাওয়ার ঘনত্ব অর্জন করে।
2। সার্কিট ডিজাইন অপ্টিমাইজেশন
সিঙ্ক্রোনাস সংশোধন প্রযুক্তি: এমওএসএফইটি সংশোধন করার জন্য ডায়োডের পরিবর্তে ব্যবহৃত হয়, এম ω স্তরের প্রতিরোধের হ্রাস এবং দক্ষতা উন্নত করে 99%এ উন্নীত করা হয়।
সফট স্যুইচিং প্রযুক্তি: স্যুইচিং লোকসানগুলি দূর করতে অনুরণনকারী সার্কিটের মাধ্যমে ডায়োড জিরো ভোল্টেজ স্যুইচিং (জেডভি) বাস্তবায়ন করা।
3। সিস্টেম স্তর অপ্টিমাইজেশন
ডায়নামিক পাওয়ার ম্যানেজমেন্ট: বেস স্টেশন লোডের উপর ভিত্তি করে ডায়োড ওয়ার্কিং স্ট্যাটাসের রিয়েল টাইম অ্যাডজাস্টমেন্ট, আনলোড হওয়ার পরে বিদ্যুতের খরচ 80% হ্রাস করে।
তাপীয় পরিচালনা প্রযুক্তি: 3 ডি প্যাকেজিং এবং ফেজ পরিবর্তন উপকরণ ব্যবহার করে ডায়োডের জংশন তাপমাত্রা 125 ডিগ্রির নীচে নিয়ন্ত্রণ করা হয়, এর জীবনকাল 5 বার বাড়িয়ে দেয়।
https://www.trrsememon.com/transistor/npn{2}}}}}}}}}}}}}}} Powr{5}}}}}}}}} BCP56.html