যোগাযোগ সরঞ্জামগুলিতে ডায়োডগুলির জন্য প্রতিক্রিয়া গতির প্রয়োজনীয়তা কী?
একটি বার্তা রেখে যান
一, ডায়োড প্রতিক্রিয়া গতির জন্য যোগাযোগ সরঞ্জামের মূল প্রয়োজনীয়তা
যোগাযোগ সরঞ্জামগুলিতে ডায়োড প্রতিক্রিয়া গতির চাহিদা তিনটি বড় প্রযুক্তিগত চ্যালেঞ্জ থেকে উদ্ভূত:
হাই স্পিড সিগন্যাল অখণ্ডতা: পিসিআই 6.0 ইন্টারফেসের জন্য 50ps এর চেয়ে কম বা সমান একটি সংকেত উত্থান/পতনের সময় প্রয়োজন এবং সংশ্লিষ্ট ডায়োডের প্রতিক্রিয়া গতি থাকা উচিত<10ps to avoid signal distortion.
ক্ষণস্থায়ী সুরক্ষা সময়োপযোগীতা: ইএসডি সুরক্ষা ডিভাইসগুলিকে চিপটি প্রবেশ করা থেকে ক্ষণস্থায়ী ওভারভোল্টেজ রোধ করতে 1ns এর মধ্যে ক্ল্যাম্পিং ক্রিয়া সম্পূর্ণ করতে হবে।
Optical communication sensitivity: 100Gbps optical module requires PIN photodiode rise time ≤ 50ps and quantum efficiency>দীর্ঘ - দূরত্ব সংক্রমণ সমর্থন করতে 70%।
5 জি বেস স্টেশনগুলি উদাহরণ হিসাবে গ্রহণ করে, তাদের আরএফ ফ্রন্ট - শেষের দিকে 50ps এরও কম প্রতিক্রিয়া সময় এবং 3.5GHz ফ্রিকোয়েন্সি ব্যান্ডে দক্ষ সনাক্তকরণ এবং সংশোধন নিশ্চিত করার জন্য 0.3PF এর কম জংশন ক্যাপাসিট্যান্স সহ স্কটকি ডায়োডগুলি (যেমন এসএস 12-এসএস 1110 সিরিজ) ব্যবহার করতে হবে।
2, ডায়োড প্রতিক্রিয়া গতির প্রযুক্তিগত বাস্তবায়ন পথ
1। কাঠামোগত অপ্টিমাইজেশন প্রতিক্রিয়া গতি উন্নত করে
পিন ফটোডিয়োড: পি এবং এন অঞ্চলগুলির মধ্যে একটি অভ্যন্তরীণ স্তর (আই স্তর) সন্নিবেশ করে, হ্রাস অঞ্চলের প্রস্থটি 10-100 μ মিটার পর্যন্ত প্রসারিত করা হয়, ক্যারিয়ার ড্রিফ্ট সময়কে 0.1-1 এনএসে হ্রাস করে। উদাহরণস্বরূপ, ইনগাস পিন ডায়োডের একটি দায়বদ্ধতা 0.84 এ/ডাব্লু এবং এর উত্থানের সময় রয়েছে<50 ps at a wavelength of 1.55 μ m.
অ্যাভাল্যাঞ্চ ফটোডিয়োড (এপিডি): ট্রানজিটের সময় হ্রাস করতে বৈদ্যুতিক ক্ষেত্র বিতরণকে অনুকূল করার সময় লাভ বাড়ানোর জন্য তুষারপাতের গুণক প্রভাব ব্যবহার করা। উদাহরণস্বরূপ, একটি 10 জিবিপিএস সিস্টেমে, আইএনপি/ইনগাস এপিডির 100ps এরও কম প্রতিক্রিয়া সময় এবং 100 বার পর্যন্ত লাভ রয়েছে।
2। পারফরম্যান্স বাধা মাধ্যমে উপাদান উদ্ভাবন বিরতি
প্রশস্ত ব্যান্ডগ্যাপ সেমিকন্ডাক্টর: গাএ এবং 6 ঘন্টা এসআইসির মতো উপকরণগুলির উচ্চ ইলেক্ট্রন গতিশীলতা রয়েছে (8500 সেমি ²/ভি · এস পর্যন্ত গাএ), যা ক্যারিয়ার ড্রিফ্টের গতি উল্লেখযোগ্যভাবে উন্নত করতে পারে। উদাহরণস্বরূপ, জিএএএস পিন ডায়োডগুলির 10GHz ফ্রিকোয়েন্সি ব্যান্ডে 30PS এরও কম প্রতিক্রিয়া সময় রয়েছে।
হেটেরোজানশন কাঠামো: ইনগাস/আইএনপি হিটারোজানশন গা dark ় প্রবাহকে হ্রাস করে এবং ব্যান্ড ইঞ্জিনিয়ারিংয়ের মাধ্যমে প্রতিক্রিয়ার গতি উন্নত করে। উদাহরণস্বরূপ, একটি হিটারোজানশন পিন ডায়োডের একটি গা dark ় প্রবাহ রয়েছে<2nA and a responsivity>1.3 μ মি এর তরঙ্গদৈর্ঘ্যে 0.6a/w।
3। প্যাকেজিং এবং সার্কিট সহযোগী নকশা
লো ক্যাপাসিট্যান্স প্যাকেজিং: জংশন ক্যাপাসিট্যান্স 0.1pf এর নীচে হ্রাস করতে ফ্লিপ চিপ প্রযুক্তি ব্যবহার করে। উদাহরণস্বরূপ, DW05 - 4R2PC-SD ডায়োড 3 ডি-তে প্যাকেজ করা হয়েছে এবং ইউএসবি 4 ইন্টারফেসের মাধ্যমে 20 জিবিপিএস সংক্রমণকে সমর্থন করে কেবল 0.2pf এর জংশন ক্যাপাসিট্যান্স রয়েছে।
ম্যাচিং সার্কিট অপ্টিমাইজেশন: আরসি সময় ধ্রুবক হ্রাস করতে আরএলসি সার্কিটের মাধ্যমে ডায়োড প্যারাসিটিক পরামিতিগুলির জন্য ক্ষতিপূরণ দিন। উদাহরণস্বরূপ, 5 জি আরএফ ফ্রন্ট - শেষের নকশায়, একটি π - টাইপ ফিল্টারিং নেটওয়ার্কটি ডায়োড প্রতিক্রিয়া সময়কে অনুকূল করতে ব্যবহৃত হয়<20ps.
3, সাধারণ যোগাযোগ সরঞ্জামগুলির ডায়োড প্রতিক্রিয়া গতির জন্য প্রয়োজনীয়তা
1। ফাইবার অপটিক যোগাযোগ সরঞ্জাম
Light receiving module: 100Gbps QSFP28 optical module requires PIN diode rise time ≤ 30ps and quantum efficiency>80%। উদাহরণস্বরূপ, ফিনিসারের এফটিএলএক্স 8571 ডি 3 বিসিএল মডিউল ইনগাস পিন ডায়োড ব্যবহার করে এবং 10 কিলোমিটার সংক্রমণ সমর্থন করে।
অপটিকাল এমপ্লিফায়ার: এডফা (এরবিয়াম - ডোপড ফাইবার এমপ্লিফায়ার) অপটিক্যাল পাওয়ার পর্যবেক্ষণের জন্য এপিডি প্রয়োজন, এর প্রতিক্রিয়া সময় সহ<50ps and a dynamic range of>60 ডিবি।
2। ওয়্যারলেস যোগাযোগ ডিভাইস
আরএফ ফ্রন্ট - শেষ: আরএফ ফ্রন্ট - 5 জি বেস স্টেশনগুলির শেষের জন্য মিশ্রণ এবং সনাক্তকরণের জন্য স্কটকি ডায়োডগুলির ব্যবহার প্রয়োজন, এর প্রতিক্রিয়া সময় সহ<30ps and a cutoff frequency of>40GHz। উদাহরণস্বরূপ, স্কাই ওয়ার্কসের এসএমএস 7630-079LF ডায়োডের 28GHz ফ্রিকোয়েন্সি ব্যান্ডে 7DB এর চেয়ে কম রূপান্তর ক্ষতি রয়েছে।
অ্যান্টেনা স্যুইচ: টিডিডি সিস্টেম অ্যান্টেনা স্যুইচটির স্যুইচিং সময় সহ একটি পিন ডায়োড প্রয়োজন<50ns and an isolation of>40 ডিবি। উদাহরণস্বরূপ, কোরভোর কিউপিডি 1025 এল ডায়োড 2.6GHz ফ্রিকোয়েন্সি ব্যান্ডকে একটি সন্নিবেশ ক্ষতি সহ সমর্থন করে<0.3dB.
3। ডেটা যোগাযোগ সরঞ্জাম
উচ্চ গতির ইন্টারফেস: পিসিআই 5.0/6.0 ইন্টারফেসগুলির জন্য প্রতিক্রিয়া সময় সহ কম ক্যাপাসিট্যান্স ইএসডি ডায়োডগুলির ব্যবহার প্রয়োজন<10ps and junction capacitance<0.1pF. For example, Nexperia's PESD5V0S1BA diode supports 8kV contact discharge and clamp voltage<8V.
সার্ভার পাওয়ার সাপ্লাই: ওরিং কন্ট্রোলারটির বিপরীত বর্তমান ব্লকিংয়ের জন্য স্কটকি ডায়োডের প্রয়োজন, 0.3V এর চেয়ে কম ফরোয়ার্ড ভোল্টেজ ড্রপ এবং 10ns এরও কমের বিপরীত পুনরুদ্ধারের সময়। উদাহরণস্বরূপ, বিশয়ের ভিএস -10BQ100 ডায়োড 10 এ কারেন্টকে সমর্থন করে, কেবলমাত্র 0.28V এর ফরোয়ার্ড ভোল্টেজ ড্রপ সহ।
4, ইঞ্জিনিয়ারিং অনুশীলনে প্রতিক্রিয়া গতি পরীক্ষা এবং অপ্টিমাইজেশন
1। পরীক্ষার পদ্ধতি
Time domain testing: Use an oscilloscope (bandwidth>50GHz) ডায়োডের উত্থান/পতনের সময় পরিমাপ করতে। উদাহরণস্বরূপ, কীসাইট dsox95004a অসিলোস্কোপ সঠিকভাবে প্রতিক্রিয়া সময় পরিমাপ করতে পারে<10ps.
ফ্রিকোয়েন্সি ডোমেন টেস্টিং: এস প্যারামিটারগুলি পরীক্ষা করতে এবং ডায়োড কাট অফ ফ্রিকোয়েন্সি মূল্যায়ন করতে একটি নেটওয়ার্ক বিশ্লেষক (ভিএনএ) ব্যবহার করুন। উদাহরণস্বরূপ, রোহদে এবং শোয়ার্জ জেডএনবি 20 ভিএনএ 20GHz পর্যন্ত ফ্রিকোয়েন্সি প্রতিক্রিয়া পরিমাপ করতে পারে।
ক্ষণস্থায়ী পরীক্ষা: ডায়োডের ক্ল্যাম্পিং গতি যাচাই করতে ± 15KV ডাল প্রয়োগ করতে একটি ESD সিমুলেটর (যেমন EMC অংশীদারদের ESD3000) ব্যবহার করুন।
2। অপ্টিমাইজেশন কৌশল
মাল্টি লেভেল প্রোটেকশন আর্কিটেকচার: একক -}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}
তাপমাত্রা ক্ষতিপূরণ নকশা: তাপমাত্রার সাথে গা dark ় কারেন্ট বৃদ্ধির সমস্যাটি সমাধান করার জন্য, গতিশীল পক্ষপাত সামঞ্জস্য করার জন্য একটি নেতিবাচক তাপমাত্রা সহগ প্রতিরোধক (এনটিসি) ব্যবহৃত হয়। উদাহরণস্বরূপ, ইনগাস পিন ডায়োডগুলিতে, অন্ধকার বর্তমান পরিবর্তনের হার এনটিসি -র মাধ্যমে 5%/ ডিগ্রি থেকে 1%/ ডিগ্রিতে হ্রাস করা হয়।
অভিযোজিত সার্কিট: অপারেটিং ফ্রিকোয়েন্সিটির উপর ভিত্তি করে ডায়োড প্রতিক্রিয়া গতি গতিশীলভাবে অনুকূল করতে আরএফ ফ্রন্টে একটি টিউনেবল ম্যাচিং নেটওয়ার্ককে সংহত করা - শেষ। উদাহরণস্বরূপ, 50 ω -75 Ω প্রতিবন্ধকতা স্যুইচিং অর্জন করতে এবং প্রতিবিম্বের ক্ষতি হ্রাস করতে এমইএমএস সুইচগুলি ব্যবহার করে।
https://www.trrsememon.com/transistor/high{ {2} voltage {{33}} ট্রান্সিস্টোর- এমএমবিটিএ 92.html






