ইন্টিগ্রেটেড লাইট স্টোরেজ এবং চার্জিংয়ের বিকাশের সাথে, ডায়োডের বাজারের চাহিদা কীভাবে পরিবর্তিত হয়েছে?

1, অপটিক্যাল স্টোরেজ চার্জিং সিস্টেমে ডায়োডের মূল চাহিদা দ্বারা চালিত
ইন্টিগ্রেটেড ফটোভোলটাইক, এনার্জি স্টোরেজ এবং চার্জিং এর মূল বিষয় হল ফটোভোলটাইক, এনার্জি স্টোরেজ এবং চার্জিং মডিউলের মধ্যে দক্ষ সহযোগিতা অর্জন করা। এর প্রযুক্তিগত স্থাপত্য ডায়োডের জন্য তিনটি মূল প্রয়োজনীয়তাকে সামনে রাখে:

দক্ষ সংশোধন এবং শক্তি রূপান্তর
সিস্টেমের শক্তি রূপান্তর কেন্দ্র হিসাবে, ফটোভোলটাইক ইনভার্টারগুলিকে রেকটিফায়ার ডায়োডের মাধ্যমে ডিসি পাওয়ারকে এসি পাওয়ারে রূপান্তর করতে হবে এবং গ্রিডের সাথে সংযুক্ত করতে হবে। সানশাইন পাওয়ারের 125kW স্ট্রিং ইনভার্টারকে উদাহরণ হিসাবে নিলে, এটি অভ্যন্তরীণভাবে 6 1200V/600A IGBT মডিউল ব্যবহার করে, প্রতিটি মডিউলে 4টি IGBT চিপ এবং 2টি দ্রুত পুনরুদ্ধার ডায়োড (FRDs) রয়েছে, যার একটি একক ডিভাইস ডায়োড ব্যবহার 12। ফটোভোলটাডিওর বাজারের প্রসারণ ক্ষমতার সাথে ফটোভোলটা বাজারের প্রসারিত হয়েছে। চীনে ইনভার্টারগুলি 2025 সালের মধ্যে 4.5 বিলিয়ন ইউয়ানে পৌঁছবে বলে আশা করা হচ্ছে, যার বার্ষিক চাহিদা 270 মিলিয়ন পিস।
উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি সুইচ এবং কম ক্ষতি বৈশিষ্ট্য
এনার্জি স্টোরেজ সিস্টেমে দ্বিমুখী DC/DC রূপান্তরকারী উচ্চ- ফ্রিকোয়েন্সি স্যুইচিং এবং পরিবাহী ক্ষতি কমাতে সিলিকন কার্বাইড (SiC) ডায়োডের উপর নির্ভর করে। টেসলা মেগাপ্যাক এনার্জি স্টোরেজ সিস্টেম SiC MOSFET এবং Schottky ডায়োডের সংমিশ্রণ গ্রহণ করে, যা ঐতিহ্যগত সিলিকন-ভিত্তিক সমাধানগুলির তুলনায় 3% এবং শক্তির ঘনত্ব 40% দ্বারা উন্নত করে৷ Yole D é evelopment এর ভবিষ্যদ্বাণী অনুসারে, 2025 সালের মধ্যে বিশ্বব্যাপী SiC ডায়োডের বাজারের আকার $3 বিলিয়নে পৌঁছাবে, যেখানে অপটিক্যাল স্টোরেজ সেক্টর 35% এর বেশি।
চরম পরিবেশে উচ্চ নির্ভরযোগ্যতা এবং অভিযোজনযোগ্যতা
স্বয়ংচালিত গ্রেড ডায়োডগুলিকে অবশ্যই AEC-Q101 মান পূরণ করতে হবে এবং -40 ডিগ্রি থেকে 150 ডিগ্রি তাপমাত্রার মধ্যে স্থিতিশীল কর্মক্ষমতা বজায় রাখতে হবে। হুয়াওয়ে ডিজিটাল এনার্জি দ্বারা চালু করা হালকা স্টোরেজ এবং চার্জিংয়ের জন্য ইন্টিগ্রেটেড চার্জিং পাইলে একটি অভ্যন্তরীণ TVS ডায়োড রয়েছে যা 8/20 μs তরঙ্গরূপের অধীনে 30kA এর বর্ধিত কারেন্ট সহ্য করতে পারে, বজ্রপাতের মতো চরম কাজের পরিস্থিতিতে সিস্টেমের নির্ভরযোগ্যতা নিশ্চিত করে। স্বয়ংচালিত গ্রেড ডায়োডের বৈশ্বিক বাজারের আকার 2025 সালের মধ্যে 8 বিলিয়ন ইউয়ান ছাড়িয়ে যাবে বলে আশা করা হচ্ছে, যেখানে চীন 47% এর জন্য দায়ী।
2, বাজারের চাহিদার কাঠামোগত বিবর্তনের প্রবণতা
অ্যাপ্লিকেশন পরিস্থিতিতে বৈচিত্র্যপূর্ণ সম্প্রসারণ
ডিস্ট্রিবিউটেড অপটিক্যাল স্টোরেজ এবং চার্জিং সিস্টেম: গৃহস্থালি এবং বাণিজ্যিক পরিস্থিতি 60% এর বেশি, যা ক্ষুদ্রকরণ এবং পৃষ্ঠ মাউন্ট ডায়োডের চাহিদাকে চালিত করে। উদাহরণস্বরূপ, শেনজেনের একটি শিল্প পার্কে একটি ফটোভোলটাইক চার্জিং প্রকল্পে DFN5 × 6 প্যাকেজযুক্ত Schottky ডায়োড ব্যবহার করা হয়, যা ঐতিহ্যগত DO-214AB প্যাকেজিংয়ের তুলনায় 60% কমিয়ে দেয় এবং শক্তির ঘনত্ব তিনগুণ বাড়িয়ে দেয়।
কেন্দ্রীভূত ফটোভোলটাইক পাওয়ার স্টেশন: বড় গ্রাউন্ড পাওয়ার স্টেশনগুলিতে 1700V SiC ডায়োডের চাহিদা বেড়েছে, যেগুলির 1200V সিলিকন-ভিত্তিক পণ্যগুলির তুলনায় ভোল্টেজ প্রতিরোধের 42% বৃদ্ধি পেয়েছে এবং উচ্চ-ডিসি ভোল্টেজের জন্য উপযুক্ত।
বিশেষ পরিবেশগত অ্যাপ্লিকেশন: অফশোর বায়ু এবং সৌর শক্তি সঞ্চয় প্রকল্প ক্ষয়-প্রতিরোধী ডায়োডের বিকাশকে উৎসাহিত করেছে-। ডিভাইসটি, যা একটি তিন-স্তর নিকেল প্রলেপ প্রক্রিয়া ব্যবহার করে, একটি লবণ স্প্রে টেস্ট লাইফ 2000 ঘন্টা, যা সাধারণ পণ্যের তুলনায় 5 গুণ বেশি।
প্রযুক্তিগত রোডম্যাপ পুনরাবৃত্তি ত্বরণ
তৃতীয় প্রজন্মের অর্ধপরিবাহী অনুপ্রবেশ: 2025 সাল নাগাদ, অপটিক্যাল স্টোরেজের ক্ষেত্রে SiC ডায়োডের অনুপ্রবেশের হার 28%-এ পৌঁছাবে, সিলিকন ভিত্তিক উপাদানগুলির 1/200 প্রতিরোধের একক ক্ষেত্রফল সহ, সিস্টেমের কার্যকারিতা 98% অতিক্রম করবে৷
ইন্টিগ্রেশন প্রবণতা: একক-চিপ ইন্টিগ্রেটেড ফটোডিওড অ্যারে প্রযুক্তি পরিপক্ক, যার পিক্সেল ঘনত্ব 10000/সেমি ², ফটোভোলটাইক সর্বোচ্চ পাওয়ার পয়েন্ট ট্র্যাকিং (MPPT) কন্ট্রোলারগুলিতে প্রয়োগ করা হয়, সিস্টেম স্তরের উপাদানগুলির সংখ্যা 30% হ্রাস করে৷
ইন্টেলিজেন্ট আপগ্রেড: তাপমাত্রা ক্ষতিপূরণ ফাংশন সহ ডায়োড স্বয়ংক্রিয়ভাবে কাজের পরামিতিগুলিকে সামঞ্জস্য করতে পারে এবং উচ্চ অক্ষাংশ অপটিক্যাল স্টোরেজ প্রকল্পের জন্য উপযুক্ত -40 ডিগ্রি থেকে +85 ডিগ্রি তাপমাত্রার পরিসরে স্থিতিশীল কোয়ান্টাম দক্ষতা বজায় রাখতে পারে।
উল্লেখযোগ্য আঞ্চলিক বাজার পার্থক্য
ইয়াংজি নদী ব-দ্বীপ অঞ্চল: একটি সম্পূর্ণ অর্ধপরিবাহী শিল্প শৃঙ্খলের উপর নির্ভর করে, ডায়োড উৎপাদন ক্ষমতা 2025 সালের মধ্যে দেশের মোটের 42% হবে, যেখানে স্বয়ংচালিত গ্রেড এবং SiC উচ্চ-উন্নয়নের উপর ফোকাস থাকবে।
চেংডু চংকিং অঞ্চল: কম বিদ্যুতের দামের সুবিধার সাথে, এটি ফটোভোলটাইক বৈদ্যুতিন সংকেতের মেরু বদল উৎপাদন ক্ষমতার সমাবেশকে আকর্ষণ করে এবং ডায়োডের চাহিদা প্রধানত মাঝারি এবং নিম্ন ভোল্টেজ সংশোধনকারী ডিভাইসগুলির জন্য, উচ্চ মূল্য সংবেদনশীলতা সহ।
উত্তর-পশ্চিম অঞ্চল: বড়-ফটোভোলটাইক পাওয়ার স্টেশন নির্মাণ 1700V উচ্চ-ভোল্টেজ ডায়োডের চাহিদাকে চালিত করে। এই বিভাগের বাজারের আকার 2025 সালের মধ্যে 1.8 বিলিয়ন ইউয়ানে পৌঁছাবে বলে আশা করা হচ্ছে, যার একটি চক্রবৃদ্ধি বার্ষিক বৃদ্ধির হার 35%।
3, শিল্প চ্যালেঞ্জ এবং প্রতিক্রিয়া কৌশল
সরবরাহ চেইন নিরাপত্তা ঝুঁকি
চ্যালেঞ্জ: উচ্চ প্রান্তের সিলিকন ওয়েফার এবং যৌগিক সেমিকন্ডাক্টর সামগ্রী এখনও আমদানির উপর নির্ভর করে, 2025 সালের মধ্যে আমদানি নির্ভরতার হার 25%।
প্রতিক্রিয়া: ইয়াংজি টেকনোলজি এবং অন্যান্য কোম্পানিগুলি 8-ইঞ্চি SiC সাবস্ট্রেট উত্পাদন লাইনের উল্লম্ব একীকরণের মাধ্যমে 2026 সালের মধ্যে দেশীয় প্রতিস্থাপন অর্জন এবং খরচ 40% কমিয়ে দেবে বলে আশা করা হচ্ছে।
প্রযুক্তিগত মান খণ্ডন
চ্যালেঞ্জ: অপটিক্যাল স্টোরেজ চার্জিং সিস্টেমের জন্য ইউনিফাইড ইন্টারফেস স্ট্যান্ডার্ডের অভাব ডায়োড নির্বাচনের জটিলতা বাড়িয়েছে।
প্রতিক্রিয়া: হুয়াওয়ে কাস্টমাইজড ডেভেলপমেন্ট খরচ কমাতে বৈদ্যুতিক পরামিতি এবং যোগাযোগ প্রোটোকল একত্রিত করে "ইন্টারঅপারেবিলিটি স্পেসিফিকেশন ফর ইন্টিগ্রেটেড অপটিক্যাল স্টোরেজ এবং চার্জিং ইকুইপমেন্ট" প্রণয়নে নেতৃত্ব দেয়।
শক্তি দক্ষতা এবং খরচ ভারসাম্য
চ্যালেঞ্জ: SiC ডায়োডের দাম সিলিকন ভিত্তিক পণ্যের 3-5 গুণ-, যা তাদের বড় আকারের প্রয়োগকে সীমাবদ্ধ করে।
প্রতিক্রিয়া: সিলান মাইক্রোইলেক্ট্রনিক্স ইনভার্টারে SiC ডিভাইসগুলিকে আংশিকভাবে প্রতিস্থাপন করার জন্য একটি হাইব্রিড প্যাকেজিং সমাধান চালু করেছে, যার ফলে সিস্টেমের সামগ্রিক খরচ 15% হ্রাস পেয়েছে এবং শুধুমাত্র 1% দক্ষতা হ্রাস পেয়েছে।