একমুখী ভোল্টেজ সুইচিং ডায়োড

ইউনিডাইরেকশনাল ভোল্টেজ সুইচিং ডায়োড, যা টার্নিং ডায়োড নামেও পরিচিত, পিএনপিএন-এর চার স্তরের কাঠামো সহ সিলিকন সেমিকন্ডাক্টর পদার্থ দিয়ে গঠিত। তাদের সামনের দিকের একটি নেতিবাচক প্রতিরোধের সুইচিং বৈশিষ্ট্য রয়েছে (অর্থাৎ যখন প্রয়োগ করা ভোল্টেজটি ফরোয়ার্ড টার্নিং ভোল্টেজের মানের দিকে উঠে যায়, তখন সুইচিং ডায়োড একটি কাট-অফ অবস্থা থেকে একটি পরিবাহী অবস্থায় পরিবর্তিত হয়, অর্থাৎ, একটি উচ্চ প্রতিরোধের থেকে একটি নিম্ন প্রতিরোধে। ), এবং তাদের বিপরীত দিক একটি স্থিতিশীল বৈশিষ্ট্য আছে। দ্বিমুখী ভোল্টেজ ডায়োডটি NPnPN ফাইভ-লেয়ার সিলিকন সেমিকন্ডাক্টর উপাদান দ্বারা গঠিত, যেটির সামনের দিকে এবং বিপরীত উভয় দিকেই একই নেতিবাচক প্রতিরোধের সুইচিং বৈশিষ্ট্য রয়েছে